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J-GLOBAL ID:201802232959283845   整理番号:18A0484858

高出力LEDのための自立高分子誘導SiC膜の微細構造形成と熱伝達性能に及ぼす酸化硬化と焼結温度の影響【Powered by NICT】

Effects of oxidation curing and sintering temperature on the microstructure formation and heat transfer performance of freestanding polymer-derived SiC films for high-power LEDs
著者 (23件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 6072-6080  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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連続自立高分子由来SiC膜の微細構造変化,熱伝導率と電気抵抗率に及ぼす酸化架橋と焼結温度の影響を調べた。非晶質SiO_Cと遊離炭素ナノシートに埋め込まれたβ-SiCナノ結晶からなる受領したままの膜はポリカルボシラン(PCS)前駆体の溶融紡糸により作製し,3h/10hとそれに続く900°Cから1200°Cまでの熱分解によって硬化させた。結果は,ナノスケール構造(β-SiC/SiO2_C_/C_free)は,高熱伝導性,高絶縁性と高度に柔軟な複合体を構築するための巧妙な戦略を提供することを明らかにした。特に,熱伝導率(46.8Wm~ 1 K~ 1)と電気抵抗率(2.1 × 10~8 Ωm)を満足する1200°Cで焼結した3時間硬化膜は,高性能基板の実現に適している。熱伝導率向上に寄与する顕著な相乗効果(β-SiCナノ結晶と最密充填SiO_Cの格子振動,β-SiCと遊離炭素の自由電子熱伝導,酸素空格子点の支援役割)を,微細構造,固有特性とシミュレーションの解析に基づいて提案した。最終的に,付加的な誘電体層のないSiC膜は,直接高温銀ペーストで印刷されたシルクスクリーンとチップオンボード(COB)パッケージによる高出力LEDデバイスの熱散逸基質として用いた。最終的なデバイスは,低い熱抵抗と望ましい機械的性質を有する単層SiC基板のために低接合温度(52.6°C)と良好な柔軟性を持つ明るい光を放出できる。先端電子部品実装分野における熱管理のための柔軟な熱散逸セラミック基板を設計し,作製するための有効な方法である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

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