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J-GLOBAL ID：201802233007753646   整理番号：18A1028561

量子ドットと高効率GaAs太陽電池の特性のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulations of properties of quantum dots and high-efficiency GaAs solar cells

著者 (4件)： Dong Boqun (School of Engineering and Applied Science, The George Washington University, Washington, DC 20052) ,  Guo Shiqi (School of Engineering and Applied Science, The George Washington University, Washington, DC 20052) ,  Afanasev Andrei (Department of Physics, The George Washington University, Washington, DC 20052) ,  Zaghloul Mona (School of Engineering and Applied Science, The George Washington University, Washington, DC 20052)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前の研究[1]では,標準GaAs太陽電池とInAs/GaAs量子ドット太陽電池の両方をシミュレートするために,Silvaco TCADソフトウェアを用いた。この構造は実際に作製した太陽電池に由来し,従って全てのシミュレーション結果は実験測定データと比較することができた。結果として,シミュレーション結果はこれらの測定データに非常に近く,Silvaco TCADによる太陽電池シミュレーションの能力と精度を証明した。したがって,本研究では,波動関数や量子化エネルギー準位などの量子ドットのいくつかの重要な性質をシミュレートするために,Silvacoを用いて行った。さらに,I型とII型量子ドット間の差を比較し,シミュレーションした。次に,標準GaAs太陽電池の新しい構造を設計した。その変換効率は25%以上に達し,これは以前の研究[1]におけるもの(14%)よりも高い。次に,空乏領域内に10層量子ドットを埋め込み,変換効率の改善を得た。結果は29.85%であり,埋め込まれた量子ドットが太陽電池の性能を改善するのに役立つことを証明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  量子化 ,  波動関数 ,  ソフトウェア ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  *シミュレーション ,  *太陽電池 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 空乏領域 ,  変換効率 ,  TCAD ,  量子ドット太陽電池 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  高効率 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  シミュレーション