抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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全ての太陽電池は不均一な電子特性を示した。これは特に多結晶シリコンセルに対して保持され,そこでは一桁以上の寿命の局所差が存在する。本論文では,これらの不均一性がどのように画像化され,定量化できるかを説明し,J_01-,J_02-,およびオーム不均一性の物理的起源と効率劣化ポテンシャルをレビューした。J_02とオーム電流は,J_01電流と対照的に,常に高度に局在していることが分かった。したがって,シリコン太陽電池の面積の大部分を記述するために,1ダイオードモデルは十分であるが,J_02とオーム電流は低照明強度で効率を低下させる。さらに,既知の絶縁破壊現象の物理的起源をレビューし,単結晶シリコンセルで支配的な新しい破壊型を提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】