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J-GLOBAL ID：201802233199811926   整理番号：18A0844974

アゾ透明導電窓と銀ミラー反射器を備えた垂直4H-SiC光伝導スイッチの性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of a Vertical 4H-SiC Photoconductive Switch With AZO Transparent Conductive Window and Silver Mirror Reflector

著者 (4件)： Cao Penghui (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, Xidian University, Xi’an, china) ,  Huang Wei (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Guo Hui (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, Xidian University, Xi’an, china) ,  Zhang Yuming (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, Xidian University, Xi’an, china)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 5  ページ： 2047-2051  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウム補償4H炭化ケイ素(4H-SiC)に基づく新しい垂直形状光導電性スイッチ素子を,4H-SiCの上部にアルミニウムをドープしたZnO(AZO)透明導電性窓の構造と背面に銀鏡反射器を用いて提示した。この新しい構造に対して,レーザは電極面を直接照射することにより素子を便利にトリガできる。負荷抵抗器を持たない回路を用いて素子の性能を試験し,スイッチをNd:YAG532nmレーザ(半値全幅10ns)によりトリガした。結果は,最小オン状態抵抗が18.2MW/cm2の照射密度で7.5Ωであり,破壊電圧は12kV(破壊電場は260kV/cm)であることを示した。特に,レーザエネルギーの光学的利用効率と最小オン状態抵抗性能は,AZO膜とミラー反射器によるこの新しい垂直構造光伝導スイッチにおいて著しく改善される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング素子 ,  *スイッチ ,  FWHM ,  電場 ,  ドーピング ,  レーザ ,  *銀 ,  *反射器 ,  酸化亜鉛 ,  導電性 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  オン状態 ,  *光伝導アンテナ ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銀 ,  ミラー ,  反射器 ,  垂直 ,  4H-SiC ,  光伝導スイッチ