CRAST:永続メモリにおけるキーバリューストアのためのクラッシュ耐性データ管理

Han Youil; Lee Eunji

文献

J-GLOBAL ID：201802233236629937 整理番号：18A2207398

CRAST:永続メモリにおけるキーバリューストアのためのクラッシュ耐性データ管理

CRAST: Crash-resilient data management for a key-value store in persistent memory

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資料名：
巻： 15 号： 23 ページ： 20180919(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0039A ISSN： 1349-2543 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

3DXpoint[1],NVDIMM[2],zSSD[3]のような不揮発性メモリ技術における革新の急速な進歩により,データサービスプラットフォームを構築し,展開し,管理する方法を変換する準備が整った。特に,バイトアドレス可能で永続的なタイプのメモリの出現は,現在のストレージアーキテクチャの景観を変化させ,メモリの異なる機能性と単一層[4]への記憶を強化した。この進歩した技術の完全な利点を得るために,本論文では,不揮発性メモリ上で動作するときのシステム故障からのクラッシュ一貫性をサポートするために,キーバリューストアにおけるメモリ内データ管理モジュールとして役立つ,衝突耐性スキップリスト(CRAST)を提示した。一貫した方法で永続的なメモリ内データを維持することによって,提案したスキップリストは,現代のデータサービスプラットフォームにおいて,同時に強い信頼性と高性能を提供する。著者らは,LevelDBにおいてそのプロトタイプを実行することによって,CRASTの有効性を実証した。CRASTは,信頼性を損なうことなく,元のキー値ストアと比較して,様々な作業負荷にわたって優れた性能を提供することを実験的に示した。(翻訳著者抄録)

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著者キーワード (4件)： , , ,

半導体集積回路 , 記憶装置

引用文献 (18件)：

[1] “Intel and micron produce breakthrough memory technology,” http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/inteland-micron-produce-breakthrough-memory-technology.
[2] “NVDIMM: Persistent memory performance,” https://enterprisestorage.micron.com/media/documents/products/productflyer/nvdimm_flyer.pdf.
[3] “Ultra-low latency with Samsung Z-NAND SSD,” https://www.samsung.com/us/labs/pdfs/collateral/Samsung_ZNAND_Technology_Brief_v5.pdf.
[4] J. Xu and S. Swanson: “NOVA: A log-structured file system for hybrid volatile/non-volatile main memories,” Proc. USENIX Conf. on File and Storage Technologies (2016) 323.
[5] S. Ghemawat and J. Dean: “LevelDB,” http://code.google.com/p/leveldb (2011).

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