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J-GLOBAL ID：201802233364869892   整理番号：18A0824047

5G応用のための28nm CMOSにおけるDoherty電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

Doherty power amplifier in 28 nm CMOS for 5G applications

著者 (4件)： Hamed Ahmed (Chair of High Frequency Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Aref Ahmed (Chair of High Frequency Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Saeed Mohamed (Chair of High Frequency Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Negra Renato (Chair of High Frequency Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： GeMiC  ページ： 191-194  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,28nm CMOS技術における完全集積Doherty電力増幅器の設計を提示した。この回路を周波数帯域5~6GHzに対して最適化し,10dB出力電力バックオフ(OBO)と0dBm入力電力レベルで10dBの電力利得をもつ20dBmの最大出力電力を得た。35%のドレイン効率(DE)をOBOで得て,全帯域幅にわたってほぼ平坦な応答を得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数帯 ,  帯域幅 ,  *CMOS ,  *電力増幅器 ,  最適化 ,  *電力
準シソーラス用語： 最大出力 ,  パワーゲイン ,  電力レベル ,  バックオフ ,  出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 5G ,  応用 ,  CMOS ,  電力増幅器