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J-GLOBAL ID:201802233395905196   整理番号:18A1893226

GaNマトリックス中のGa_xFe_4-xNナノ結晶の平面アレイの磁気特性に及ぼすMn共ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Mn co-doping on the magnetic properties of planar arrays of GaxFe4-xN nanocrystals in a GaN matrix
著者 (5件):
資料名:
巻: 20  号: 39  ページ: 25411-25420  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体マトリックス中に埋め込まれた磁性ナノ結晶はスピントロニクス素子への応用の可能性を増している。GaNマトリックス中に埋め込まれたγ′-Ga_xFe_4-xNナノ結晶の平面配列を特徴とする,金属有機気相エピタクシーにより作製したFeおよびMnドープGaN試料の磁気挙動について報告する。同じ公称Fe含有量と異なるMn濃度で成長させた3つの試料のセットを,Mnを含まないものを含めて考察した。最高のMn含有量を有するサンプルにおいて,γ′-Ga_xFe_4-xN格子中のMnとε-Fe_3Nナノ結晶の存在を検出した。試料はGaNマトリックスに起因する常磁性信号を示し,ナノ結晶により与えられた強磁性体,前者はMn共ドーピングの増加により増加し,後者は減少した。3つの試料において,磁気緩和ナノ結晶は非緩和のものと共存し,双極子磁気相互作用は磁気熱挙動に強く影響する。これらの複雑な磁気現象の解析は,ナノ結晶の構造的および組成的性質,およびGaNマトリックスへの配列に関連し,この関連する系の磁気応答に対する調整の新しい展望を開いた。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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塩 

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