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J-GLOBAL ID：201802233593856098   整理番号：18A2102584

[1]-ベンゾチアジン-[3,2-b]-[1]-ベンゾチオフェン二量体誘導体に基づく有機薄膜トランジスタとフォトトランジスタの熱安定性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating the Thermal Stability of Organic Thin-Film Transistors and Phototransistors Based on [1]-Benzothieno-[3,2-b]-[1]-benzothiophene Dimeric Derivatives

著者 (10件)： He Yu (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Guo Shenghui (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  He Yaowu (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Murtaza Imran (Department of Physics, International Islamic University, Islamabad, 44000, Pakistan) ,  Li Aiyuan (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Zeng Xianzhe (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Guo Yitong (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Zhao Yang (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Chen Xiaolong (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Meng Hong (School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, P. R. China)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 24  号： 62  ページ： 16595-16602  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの新しい高度に熱安定な[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(BTBT)二量体誘導体,すなわち1,4-ビス([1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン-2-イル)ベンゼン(BTBT-Ph-BTBT)と4,4′-ビス([1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン-2-イル)-1,1′-ビフェニル(BTBT-DPh-BTBT)を,2つの単純なフラグメント構造を組み合わせて合成した。単量体化合物2-フェニル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(Ph-BTBT,μ_max=3.4×10~-2cm~2V~-1s-1)と比較して,BTBT-Ph-BTBTとBTBT-DPh-BTBTに基づく有機薄膜トランジスタ(OTFTs)は著しく高い移動度を示した(BTBT-Ph-BTBTとBTBT-DPh-BTBTに対してそれぞれ2.5と3.6cm~2V~-1s-1)。BTBT-Ph-BTBTに基づくOTFTの移動度は,デバイスを350°Cで熱的にアニールした後,高い値(2.4×10~1cm~2V~-1s-1)に保たれた。さらに,BTBT-Ph-BTBTとBTBT-DPh-BTBTに基づく有機フォトトランジスタ(OPT)は低強度で250~400nmの範囲で高い光感度を示し,これらの材料は高感度オプトエレクトロニック素子に応用できる可能性がある。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱安定性 ,  *薄膜 ,  *フォトトランジスタ ,  *二量体 ,  高感度 ,  単量体 ,  移動度
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  光感度 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 共役 ,  モビリティ ,  有機フォトトランジスタ ,  有機薄膜トランジスタ ,  薄膜

分類 (4件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  分解反応  (CF02080P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ベンゾチオフェン ,  二量体 ,  誘導体 ,  有機薄膜トランジスタ ,  フォトトランジスタ ,  熱安定性 ,  研究