抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本研究では,半導体ナノワイヤ異種集積技術により,Ge基板上に垂直に配向したIII-V族化合物半導体ナノワイヤを直接成長する異種集積技術を選択成長法で確立し,電子物性,光学特性,結晶構造の評価を通して,縦型n-MOSFET/平面p-MOSFETからなるハイブリッド回路や無転位のGe/InGaAsナノワイヤ太陽電池への展開を図るため,Ge(111)基板上の垂直InGaAsナノワイヤ(In組成0-100%)の異種集積技術を確立した。具体的には,無極性のGe(111)基板に対して,水素ガス雰囲気中の表面アニールと,V族ガス供給したアニール工程とIII族原料の供給方法が(111)B極性面を形成するために重要であることを明らかにし,これらを制御することで,基板と垂直方向に林立したInGaAsナノワイヤを選択成長する技術を確立した。さらに,ナノワイヤ成長直前におけるV族雰囲気ガスアニールによって,熱拡散によって,Ge基板をドーピングできることを見出した。(著者抄録)