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J-GLOBAL ID：201802233684181019   整理番号：18A1707607

ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-Vハイブリッド電子デバイスの創成

著者 (1件)： 冨岡克広 (北大 大学院情報科学研究科)
資料名： マツダ財団研究報告書(科学技術振興関係)  (マツダ財団研究報告書 科学技術振興関係)
巻： 30  ページ： 190-197  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： J0708A  ISSN： 1344-0497  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,半導体ナノワイヤ異種集積技術により,Ge基板上に垂直に配向したIII-V族化合物半導体ナノワイヤを直接成長する異種集積技術を選択成長法で確立し,電子物性,光学特性,結晶構造の評価を通して,縦型n-MOSFET/平面p-MOSFETからなるハイブリッド回路や無転位のGe/InGaAsナノワイヤ太陽電池への展開を図るため,Ge(111)基板上の垂直InGaAsナノワイヤ(In組成0-100%)の異種集積技術を確立した。具体的には,無極性のGe(111)基板に対して,水素ガス雰囲気中の表面アニールと,V族ガス供給したアニール工程とIII族原料の供給方法が(111)B極性面を形成するために重要であることを明らかにし,これらを制御することで,基板と垂直方向に林立したInGaAsナノワイヤを選択成長する技術を確立した。さらに,ナノワイヤ成長直前におけるV族雰囲気ガスアニールによって,熱拡散によって,Ge基板をドーピングできることを見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  化合物半導体 ,  MOSFET ,  *太陽電池
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  III-V族化合物半導体 ,  nMOSFET ,  pMOSFET ,  *ハイブリッド型太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (4件)：

• C. B. Duke, Chem Rev., 96 (1996) 1237.
• R. D. Bringans et al., Phys. Rev. Lett., 55 (1985) 533.
• D. Spirkoska et al., Phys. Rev. B 80 (2009) 245325.
• P. K. Chatterjee et al., Solid State Comm., 17 (1975) 1421.

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤ ,  集積 ,  Ge ,  電子デバイス ,  創成