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J-GLOBAL ID：201802233733130060   整理番号：18A1906110

MATLAB,SimulinkおよびLTSPICEにおけるSiCパワーMOSFETのモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modelling of SiC Power MOSFET in Matlab, Simulink, and LTSpice

著者 (4件)： Alhalabi Marah (College of Engineering, Abu Dhabi University, Abu Dhabi, UAE) ,  Rashed Abdelrahman (College of Engineering, Abu Dhabi University, Abu Dhabi, UAE) ,  Iqbal Nusrat Binte (College of Engineering, Abu Dhabi University, Abu Dhabi, UAE) ,  Tarabsheh Anas Al (College of Engineering, Abu Dhabi University, Abu Dhabi, UAE)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EEEIC / I&CPS Europe  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETは多くの電気設計の不可欠な要素である。現在,そのような設計はCadenceやPSPICEのような種々のソフトウェアツールを用いて検証されている。しかし,本論文では,MATLABを用いたSiCパワーMOSFETの改良モデルを提案した。本研究は,MATLABにおけるMOSFETの数学的定式化とそれに続くLTSpiceとSimulinkにおけるシミュレーションを詳述することを目的とした。MOSFETの静的及び動的特性を調べた。すなわち,チャネル長変調と温度の影響を,異なる時間周期にわたるスイッチング過程によりシミュレートし,詳細に説明した。本論文は,得られたシミュレーションの結果とそれらに基づく議論の結果を説明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *モデリング ,  支援プログラム ,  *MOSFET ,  定式化 ,  電気設計 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *Simulink ,  *MATLAB ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： MATLAB ,  Simulink ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  モデリング