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J-GLOBAL ID：201802233802593297   整理番号：18A0478476

~3結合炭素ナノ膜への数層グラフェンの励起駆動非熱的変換【Powered by NICT】

Excitation-driven non-thermal conversion of few-layer graphenes into sp³-bonded carbon nanofilms

著者 (5件)： Horbatenko Yevhen (IBS Center for Multidimensional Carbon Materials, Ulsan 44919, Republic of Korea) ,  Shin Dongbin (Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan 44919, Republic of Korea) ,  Han Sang Soo (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Park Noejung (IBS Center for Multidimensional Carbon Materials, Ulsan 44919, Republic of Korea) ,  Park Noejung (Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan 44919, Republic of Korea)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 694  ページ： 23-28  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ~3結合炭素ナノ膜に数層グラフェンの変態に及ぼす電子励起の微視的効果を静的及び実時間伝搬時間依存密度汎関数理論により検討した。静的,高励起価電子帯中の正孔の存在はエネルギー障壁を大幅に低減することを示した。Ehrenfest原子運動と組み合わせた励起状態電子の動力学はsp~2から.~3非熱的高速変換は数百フェムト秒内で起こり得ることを明らかにした。~3炭素表面不動態化の効率的な経路を提供し,数層グラフェンのπからπ*へのバンドからの励起は,加熱プロセス無しでナノスケール.~3結合炭素膜への変換を達成するために利用できることを示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  価電子バンド ,  フェムト秒 ,  *励起 ,  高速度 ,  励起状態 ,  電子励起 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 炭素膜 ,  ナノスケール ,  表面不動態化 ,  原子運動 ,  エネルギー障壁 ,  TDDFT ,  実時間 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素 ,  ナノ膜 ,  数層グラフェン ,  励起