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J-GLOBAL ID：201802233836738415   整理番号：18A1893107

分子GaAsナノスケール接合における電荷輸送【JST・京大機械翻訳】

Charge transport at a molecular GaAs nanoscale junction

著者 (7件)： Vezzoli Andrea (Department of Chemistry, University of Liverpool, Crown Street, Liverpool L69 7ZD, UK. [e-mail] [e-mail]) ,  Brooke Richard J. ,  Ferri Nicolo ,  Brooke Carly ,  Higgins Simon J. ,  Schwarzacher Walther ,  Nichols Richard J.
資料名： Faraday Discussions  (Faraday Discussions)
巻： 210  ページ： 397-408  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0377A  ISSN： 1359-6640  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,単一分子接合の作製のための非金属電極の使用が,ナノデバイスに新しい特性を付与するためのエレガントな方法に発展した。半導体プラットフォームにおける分子接合の統合は,確立された産業インフラの利点を利用するので,技術的展開をスピードアップするであろう。以前の概念実証論文において,STMを用いて分子Schottkyダイオードを作製するために,ヒ化ガリウム(GaAs)基板上に単純なα,ω-ジチオール自己集合単分子層を用いた。素子において,単一分子の全電荷輸送への寄与を検出することもできた。作製した素子は,GaAsがIII-V直接バンドギャップ(室温で1.42eV)半導体であるので,フォトダイオードとしても使用でき,可視光を効率的に吸収して光電流を発生させることができる。本論文では,分子ブリッジの性質,半導体のタイプとドーピング密度,光強度と波長を系統的に変化させることにより,金属-分子-GaAs接合の電気的挙動に微細な制御ができることを実証した。分子軌道エネルギー配列は電荷輸送特性を支配し,飽和ブリッジ(例えば,アルカンジチオール)で調製された強い整流接合をもたらし,飽和度が共役部分の導入により減少するので,オーム特性が増加した。観察された効果は局所的であり,サイズが数10ナノメートルの電極で観察され,したがって,分子特性をプローブするための半導体ナノ電極の使用への道を開く。単一分子半導体電気化学のためのこれらの新しい開発の展望についても議論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *接合 ,  整流 ,  ドーピング ,  アルカン ,  共役 ,  可視光 ,  プローブ ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  半導体
準シソーラス用語： ナノ電極 ,  単一分子 ,  ナノデバイス ,  *電荷輸送 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電極過程  (CB07040U) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子 ,  GaAs ,  ナノスケール ,  電荷輸送