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J-GLOBAL ID：201802233911796086   整理番号：18A1495148

硫化法によるAg-Sn-S 薄膜の作製

Fabrication of Ag-Sn-S Thin Films by Sulfurization Method

著者 (6件)： 秋田駿斗 (矢崎部品株式会社) ,  荒木秀明 (長岡工業高等専門学校 物質工学科) ,  中村重之 (津山工業高等専門学校 電気電子工学科) ,  瀬戸悟 (石川工業高等専門学校 電気工学科) ,  山口利幸 (和歌山工業高等専門学校 電気情報工学科) ,  赤木洋二 (都城工業高等専門学校 電気情報工学科)
資料名： 都城工業高等専門学校研究報告(Web)
巻： 52  ページ： 16-21(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U1404A  ISSN： 2432-1036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,Ag-Sn-S薄膜をAg,Sn,あるいはSnS粉末の真空蒸着法によりガラス基板上へ蒸着した。結晶構造主要ピークの結果は,Ag₈SnS₆結晶とAg₂SnS₃結晶の得られた結晶構造で確かめた。また,すべての膜で約10⁴cm^-1の光吸収係数を確かめることができた。形態の観察,丸い粒状の形状をした表面は,硫化温度が高くなると伸びた形状へ変化し,500°C後,膜は粗くなった。試料にSnSを使うと,ボイドは減少できることが分った。波長が短くなると共に透過率は徐々に低下し,1000nmの波長近くで透過率は鋭く低下することが分った。バンドギャップは約1.1eVから1.34eVで,太陽電池の理想的なバンドギャップ1.4eVに近いことが分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *銀化合物 ,  *スズ化合物 ,  硫化物 ,  *真空蒸着 ,  結晶構造 ,  吸収係数 ,  結晶形態 ,  空孔欠陥 ,  透過率 ,  バンドギャップ ,  太陽電池 ,  X線回折分析 ,  硫化 ,  表面性状 ,  光透過率
準シソーラス用語： ボイド【結晶】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 硫化 ,  薄膜 ,  作製