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J-GLOBAL ID：201802233971302460   整理番号：18A1935174

Mg(Zr_1-xGe_x)Nb_2O_8(0≦x≦0.4)セラミックのマイクロ波誘電特性に及ぼすZr4+のGe4+置換の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Ge⁴⁺ substitution for Zr⁴⁺ on the microwave dielectric properties of Mg(Zr_1-xGe_x)Nb₂O₈ (0 ≦x ≦ 0.4) ceramics

著者 (4件)： Xiao Mi (School of Electrical and Information Engineering & Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  He Susu (School of Electrical and Information Engineering & Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Lou Jie (School of Electrical and Information Engineering & Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Zhang Ping (School of Electrical and Information Engineering & Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 17  ページ： 21585-21590  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度Mg(Zr_1-xGe_x)Nb_2O_8(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)セラミックを,従来の固相反応経路によって首尾よく合成した。微細構造とマイクロ波誘電特性の間の関係を研究した。単斜晶鉄マンガン重石構造を有する単一MgZrNb_2O_8相の形成をXRDパターンによって確かめた。実験的誘電定数は結合分極率に密接に関係し,P-V-L理論に基づいて計算した理論的誘電率はGe4+の置換量が変化すると実験的誘電率と同じ傾向を示した。Q×fと|τ_f|の増加は,主に充填率とNbサイト結合原子価の増加に起因した。優れた誘電特性は,1300°Cで4時間,ε_r=24.26,Q×f=80,492.8GHz,τ_f=-51.95ppm/°Cで焼結したMg(Zr_1-xGex_x)Nb_2O_8(x=0.2)セラミックで得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  分極率 ,  焼結 ,  単斜晶系 ,  X線回折分析 ,  鉄マンガン重石 ,  固相反応 ,  X線回折 ,  誘電率 ,  原子価 ,  *誘電性 ,  *セラミック
準シソーラス用語： 充填率 ,  高密度 ,  *マイクロ波誘電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電特性 ,  結合分極率 ,  パッキングフラクション ,  結合原子価

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  セラミック ,  マイクロ波誘電特性 ,  置換