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J-GLOBAL ID：201802233978751972   整理番号：18A1782437

分子内配位ガリウムカルコゲン化物の合成,構造および応用 Ga_xSe_y材料に適した単一源前駆体【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, Structure and Application of Intramolecularly-Coordinated Gallium Chalcogenides: Suitable Single-Source precursors for Ga_xSe_y Materials

著者 (10件)： Ricica Tomas (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Dostal Libor (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Ruzickova Zdenka (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Benes Ludvik (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Nemec Petr (Department of Graphic Art and Photophysics, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Bouska Marek (Department of Graphic Art and Photophysics, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Macak Jan M. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, 530 02, Pardubice, Czech Republic) ,  Knotek Petr (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Ruleova Pavlina (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic) ,  Jambor Roman (Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, 532 10, Pardubice, Czech Republic)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 24  号： 54  ページ： 14470-14476  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N,C,N-またはC,N-キレート配位子L~1,2(L~1)を含むN→Ga配位有機ハロゲン化物とテルリド[L~1Ga(μ-Se)]_2(3)の合成に関する研究を行った。2(L~1)は1/1比でGa/E(E=SeまたはTe)原子を持つ{2-(Et_2NCH_2)-4,6-tBu_2-C_6H_2}である。[2-(Et_2NCH_2)-4,6-tBu_2-C_6H_2}。。[2-(Et_2NCH_2)-4,6-tBu_2-C_6H_2]である。これらの化合物の合成について述べた。。[L~1Ga(μ-Se)]_2(2)と[L1Ga(μ-Te)]_2(3)は,1/1の比率で{2-(Et_2NCH_2)-4,6-tBu_2-C_6H_2}である。Ga/E比を変化させるために,異常なN→Ga配位有機ゲルマニウム四セレン化物L~1Ga(κ2-Se_4)(4)を調製した。3の非安定性の結果として,前例のない錯体(L~1Ga)_2(μ-Te_2)(μ-Te)(5)も単離した。化合物2はスピンコーティングによる非晶質GaSe薄膜の調製のための適切な単一源前駆体である。さらに,2のオクタデシルアミン溶液の簡単な加熱により,使用した条件に従って異なる結晶度をもつ単斜晶Ga_2Se_3結晶が得られた。したがって,化合物2はBi_2Se_3の低温ドーピング過程におけるGa_2Se_3の源としても使用できる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  薄膜 ,  結晶 ,  テルル ,  非晶質 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  セレン化物 ,  単斜晶系 ,  *前駆体 ,  錯体 ,  キレート化合物 ,  スピンコーティング ,  脂肪族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドーピング ,  gaxey材料 ,  第13族元素 ,  スピンコーティング ,  薄層

分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  第4族,第5族元素の錯体  (CE01070U) ,  白金族元素の錯体  (CE01100E)

物質索引 (1件)： オクタデシルアミン

タイトルに関連する用語 (4件)： ガリウム ,  カルコゲン化物 ,  応用 ,  前駆体