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J-GLOBAL ID：201802234064315207   整理番号：18A1510624

TSV統合のコスト低減のための代替堆積ソリューション【JST・京大機械翻訳】

Alternative Deposition Solution for Cost Reduction of TSV Integration

著者 (2件)： Vitiello Julien ,  Piallat Fabien
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECTC  ページ： 2163-2167  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D統合のキーとなるenabラの一つとして,Thラフ Silicon Via(TSV)は広く研究されているが,先進的な包装産業ではほとんど採用されていない。TSVの重要な膜,すなわちアイソレーション,障壁およびCuシード層は,(プラズマ増強)化学蒸着((PE)CVD)および高体積製造における物理蒸着(PVD)システムに依存している。これらの堆積法は,実際のTSVニーズに答えることができない。それらは,製造コストを低下させながら,他のTSV製造工程を補償するために技術者を強制した。革新的な高速原子配列技術(F.A.S.T)。(R),原子層蒸着(ALD)パルス化能力を有する最適化CVD反応器のユニークな組合せを,この厚い共形方程式を解くために広く評価した。標準と比較して,それは20%以上のTSVの統合コストを減らすことができた。これらの堆積法の比較研究を示し,TSVアスペクト比の増加に対するそれらの影響の証拠を示し,ダイサイズ減少を追求する必要がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *原価低減 ,  プラズマ ,  高速度 ,  製造原価 ,  物理蒸着 ,  三次元 ,  アスペクト比 ,  銅 ,  最適化 ,  包装産業 ,  生産工程 ,  パルス化 ,  反応器
準シソーラス用語： シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： TSV ,  統合 ,  コスト低減 ,  代替 ,  堆積 ,  ソリューション