抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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3D統合のキーとなるenabラの一つとして,Thラフ Silicon Via(TSV)は広く研究されているが,先進的な包装産業ではほとんど採用されていない。TSVの重要な膜,すなわちアイソレーション,障壁およびCuシード層は,(プラズマ増強)化学蒸着((PE)CVD)および高体積製造における物理蒸着(PVD)システムに依存している。これらの堆積法は,実際のTSVニーズに答えることができない。それらは,製造コストを低下させながら,他のTSV製造工程を補償するために技術者を強制した。革新的な高速原子配列技術(F.A.S.T)。(R),原子層蒸着(ALD)パルス化能力を有する最適化CVD反応器のユニークな組合せを,この厚い共形方程式を解くために広く評価した。標準と比較して,それは20%以上のTSVの統合コストを減らすことができた。これらの堆積法の比較研究を示し,TSVアスペクト比の増加に対するそれらの影響の証拠を示し,ダイサイズ減少を追求する必要がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】