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J-GLOBAL ID：201802234090328770   整理番号：18A0382336

Er~3+をドープしたりん酸塩ガラス中に作製した陽子注入した光導波路【Powered by NICT】

Proton-implanted optical waveguides fabricated in Er³⁺-doped phosphate glasses

著者 (5件)： Liu Chun-Xiao (School of Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Shen Xiao-Liang (School of Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Guo Hai-Tao (State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics, Xi′an Institute of Optics and Precision Mechanics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Xi′an 710119, China) ,  Li Wei-Nan (State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics, Xi′an Institute of Optics and Precision Mechanics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Xi′an 710119, China) ,  Wei Wei (School of Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 131  ページ： 132-137  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Er~3+ドープリン酸塩ガラスである設計と集積フォトニック構造を開発するために適している。イオン注入光導波路を作製するための最も有望な製造技術の一つである。本研究では,導波路の性能を改善するために,Er~3+ドープリン酸塩ガラスとイオン注入を組み合わせた。陽子を注入したEr~3+ドープリン酸塩ガラス導波路を(500 +550)keVのエネルギーと(1.0+2.0)×10~16ions/cm~2のフルエンスの注入パラメータの下で作製した。平面導波路の導波特性をプリズム結合と端面の結合配置を通した632.8nmの波長で調べた。照射誘起損傷と屈折率変調は2010物質と強度計算法におけるイオンの阻止と飛程距離のシミュレーションした。は希土類ドープ光集積デバイスの作製に重要なステップである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  イオン注入 ,  プリズム ,  生産技術 ,  平面導波路 ,  イオン ,  *導波路 ,  波長 ,  *陽子 ,  フルエンス ,  希土類元素 ,  *光導波路 ,  *リン酸塩ガラス ,  *ドーピング
準シソーラス用語： フォトニック構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 導波路 ,  イオン注入 ,  ~3+をドープしたりん酸塩ガラスEr

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  りん酸塩ガラス ,  作製 ,  陽子 ,  注入 ,  光導波路