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J-GLOBAL ID：201802234092930427   整理番号：18A0335975

非混和性半導体合金コア-シェルナノワイヤ中の表面誘起相分離の制御【Powered by NICT】

Control of surface induced phase separation in immiscible semiconductor alloy core-shell nanowires

著者 (4件)： Arjmand M. (Department of Engineering Physics, University of Wisconsin - Madison, Madison 53706, USA) ,  Ke J.H. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin - Madison, Madison 53706, USA) ,  Szlufarska I. (Department of Engineering Physics, University of Wisconsin - Madison, Madison 53706, USA) ,  Szlufarska I. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin - Madison, Madison 53706, USA)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 130  ページ： 50-55  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤは,同じ材料で作製したバルク試料に関する新しい光電子特性を示すことを明らかにした。しかし,半導体合金は,その相図における混和性ギャップを持つならば,平衡では相分離,前述の特性の劣化につながる。この分離を防止する一つの方法は,低温での材料を成長させるために,反応速度を抑制することである。そのような成長は,望ましくない成長によって誘起される欠陥のシステムを除去するために高温アニーリングにより追跡する必要があることが多い。本研究では,形状および歪を調整することによって高温焼なまし中のコア-シェルナノワイヤにおける相分離を制御する方法を提案した。フェーズフィールドモデルを用いて,ナノワイヤの相分離が自由表面で始まり,バルクへ伝搬することを決定した。コアのまわりの薄い殻を含む相分離を遅延させる厚肉シェルはほぼ完全に分離を抑制することが発見された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 自由表面 ,  *ナノワイヤ ,  光電子 ,  高温 ,  状態図 ,  焼なまし ,  反応速度 ,  *相溶性 ,  低温 ,  *相分離 ,  *合金 ,  *半導体
準シソーラス用語： フェーズフィールドモデル ,  半導体ナノワイヤ ,  *非混和性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 相分離 ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  III-V族半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非混和性 ,  合金 ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  誘起 ,  相分離