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J-GLOBAL ID：201802234273971782   整理番号：18A0776657

平坦化CMPにおける高精度研磨レート分布推定技術の開発

Development of Accurate Prediction Technology of Material Removal Rate Distribution in Planarization CMP

著者 (2件)： 鈴木教和 (名古屋大学大学院工学研究科) ,  橋本洋平 (金沢大学理工研究域)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 84  号： 3  ページ： 221-224(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・・CMPは,半導体デバイス製造においてウエハ上に形成するデバイスのための素子・配線形成や層間絶縁膜の平坦化など,さまざまな目的で繰り返し使用。
・一般的なCMP装置では,ウエハよりも大きな回転定盤に研磨パッドを貼り付け,ウエハを保持したウエハキャリア構造を回転させながら押し付けて研磨する。ウエハキャリアにはリテーナリングによるウエハ周辺加圧機構と,エアバッグによるウエハ加圧機構が採用される.このウエハキャリアは,極めて複雑な構造をとるため,その開発においてはシミュレーション技術の利用が不可欠.
・本稿では,各種シミュレーション技術に基づく高精度研磨レート分布推定について解説.
・実用化が期待されている解析モデルの一つとして,ウエハ-研磨パッド間の弾性変形と流体潤滑問題を同時に取り扱うソフトEHL(Elasto-Hydrodynamic Lubrication)解析モデルがある。この解析モデルは,主に,ウエハと研磨パッドの接触問題を取り扱う構造解析と,ウエハ-研磨パッド間に介在するスラリーの膜厚分布推定モデル,また,その運動を扱う流体解析によって構成。

シソーラス用語： 半導体 ,  *平坦性 ,  *研磨 ,  *性能 ,  切削工具 ,  回転 ,  定盤 ,  シミュレーション ,  アスペリティ ,  加圧装置 ,  圧力 ,  効率 ,  研磨パッド ,  *機械工作

著者キーワード (12件)： chemical mechanical polishing ,  material removal rate ,  polishing pressure ,  wafer carrier ,  polishing pad ,  airbag ,  chemical mechanical polishing ,  material removal rate ,  polishing pressure ,  wafer carrier ,  polishing pad ,  airbag

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• 1) A. Fukuda et al. : Influence of wafer edge geometry on removal rate profile in chemical mechanical polishing, J.J. App. Phy., 51, (2012) 05EF01-1-05EF01-5.
• 2) FW. Preston : The theory and design of plate glass polishing machines, J. Soc. Glass Technol., 11, (1927) 214-256.
• 3) 大鹿ほか3名:研磨パッドの表面アスペリティモデルに基づく動的材料特性の分析,2016年度精密工学会秋季大会講演論文集,(2016)215-216.
• 4) N. Suzuki et al. : Primary study on nonlinear viscoelasticity measurement of chemical mechanical polishing pads by applying on-machine compression test. J.J. App. Phy., 53, (2014) 05GB01.
• 5) 橋本ほか4名:研磨パッドの微細凹凸接触を考慮したCMPプロセスのEHL解析,精密工学会誌,79,1(2013)73-80.

タイトルに関連する用語 (5件)： 平坦化 ,  CMP ,  研磨レート ,  分布推定 ,  開発