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J-GLOBAL ID：201802234276163739   整理番号：18A1378010

5-2:高移動度酸化物TFTを用いた内部補償型OLEDディスプレイのためのゲート駆動回路【JST・京大機械翻訳】

5-2: Gate Driver Circuits for Internal Compensation Type OLED Display with High Mobility Oxide TFT

著者 (13件)： Kim Dae Hwan (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Koo Hyung Joon (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Kang Min-Gu (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Chun Kwang Il (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Choi Uyhyun (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Ko Younghyun (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Jeon Jeyong (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Jeong ChanYong (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Jang Yong Ho (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Bae Jong Uk (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Park Kwon-shik (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Yoon Soo Young (LG Display Co., Seoul, Korea) ,  Kang In Byeong (LG Display Co., Seoul, Korea)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49  号： 1  ページ： 40-43  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己補償画素回路とゲートドライバを高移動度(~50cm2/Vs)酸化物TFTで作製した。GIP回路におけるV_thの負のシフトに対する動作マージンを改善するために,回路は2つの低電圧レベル信号を利用する。また,走査ドライバによって制御されるEMドライバの設計は,ベゼルサイズを減少させる。著者らの5.5-in.PI基板上のFHD OLEDディスプレイパネルは,60°C,1000時間以上の動作下で,GIP回路におけるクランプ電圧の飽和挙動をもつ良好な均一性と長期安定性を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  クランプ ,  走査 ,  *酸化物 ,  *ゲート回路
準シソーラス用語： 長期安定性 ,  *有機EL素子 ,  低電圧 ,  ピクセル回路 ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高移動度 ,  酸化物TFT ,  内部補償 ,  GIP

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  酸化物 ,  TFT ,  補償 ,  OLED ,  ディスプレイ ,  ゲート駆動回路