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J-GLOBAL ID：201802234277581428   整理番号：18A0150136

ナノワイヤアレイによる圧電-フォトトロニックマトリックス【Powered by NICT】

Piezo-Phototronic Matrix via a Nanowire Array

著者 (4件)： Zhang Yang (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhai Junyi (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Wang Zhong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 46  ページ： ROMBUNNO.201702377  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOとGaNのような圧電半導体は,機械的,電気的,および光学的励起の様々な側面への多特性結合効果を実証した。特に,ウルツ鉱型半導体の半導体,光励起,および圧電特性の間の三方向結合は新しい分野,最初の2010のWangによる圧電phototronicsとして作られたとして確立されている。ピエゾ-フォトトロニック効果は金属-半導体または半導体-半導体ヘテロ接合/界面でのバンド構造を修飾することにより光-電子過程における電荷キャリア発生,分離,輸送,および/または再結合を調節する制御できる。,光検出器,圧力センサ,発光ダイオード,太陽電池を強化するためのピエゾ-フォトトロニック効果を用いてなされた進歩をレビューした。単一圧電半導体ナノワイヤに関する以前の研究と比較して,ナノワイヤアレイを用いて構築したピエゾ-フォトトロニックデバイスは高空間分解能画像化と高速応答性の実現と集積オプトエレクトロニクスを作製するための有望なプラットフォームを提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出器 ,  OEIC ,  圧電半導体 ,  バンド構造 ,  窒化ガリウム ,  界面 ,  光ポンピング ,  半導体 ,  *圧電気 ,  再結合 ,  酸化亜鉛 ,  発光ダイオード ,  太陽電池
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  *ナノワイヤアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フレキシブルデバイス ,  heterostructures ,  ナノワイヤアレイ ,  piezocharges ,  ピエゾ-フォトトロニック効果

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  細胞生理一般  (EF02010S)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノワイヤアレイ ,  圧電