表面硫化Cu(InGa)Se<sub>2</sub>における低減したポテンシャル揺らぎ

KIM Shinho; AIHARA Taketo; NISHINAGA Jiro; TAMPO Hitoshi; SHIBATA Hajime; MATSUBARA Koji; NIKI Shigeru

文献

J-GLOBAL ID：201802234278338332 整理番号：18A1790946

表面硫化Cu(InGa)Se₂における低減したポテンシャル揺らぎ

Reduced potential fluctuation in a surface sulfurized Cu(InGa)Se₂

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A1790946&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A1790946&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 57 号： 8 ページ： 085702.1-085702.6 発行年： 2018年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Cu欠乏条件下で成長させたCu(InGa)Se₂(CIGSe)は,そのバンド構造において,潜在的変動を示した。CIGSeにおいてドナーとアクセプタの密度が高く,補償されているとき,ドナーとアクセプタの空間分布の局所偏差はポテンシャル揺らぎをもたらす。本研究は,表面硫化プロセスを用いて,CIGSeのポテンシャル揺らぎの低減を実証した。著者らは,励起レーザ出力値(1.7~180.6mW/cm²)を変えて,15~100Kの温度範囲で,非硫化及び硫化CIGSeについて光ルミネセンス(PL)解析を行った。その結果は,硫化CIGSeが,非硫化CIGSeと比較して,ポテンシャル揺らぎの低減を示すことを明らかにした。硫化CIGSeにおけるポテンシャル井戸の深さは5meVで,非硫化CIGSeのそれ(13meV)と比較して著しく減少した。これは,表面硫化が,Sとの反応に起因するドナー(V_Se^2-および/またはIn_Cu²⁺)の置換または還元をもたらすことを意味する。その後,この補償は硫化CIGSeにおいて減速した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , ,
, ,

半導体結晶の電子構造

引用文献 (18件)：

P. Jackson, R. Wuerz, D. Hariskos, E. Lotter, W. Witte, and M. Powalla, Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 10, 583 (2016).
T. Kato, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 04CA02 (2017).
M. A. Green, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop, D. H. Levi, J. Hohl-Ebinger, and A. W. H. Ho-Baillie, Prog. Photovoltaics 25, 668 (2017).
D. Abou-Ras, T. Kirchartz, and U. Rau, Advanced Characterization Techniques for Thin Film Solar Cells (Wiley, New York, 2011).
S. Siebentritt, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95, 1471 (2011).

, , ,

前のページに戻る

表面硫化Cu(InGa)Se2における低減したポテンシャル揺らぎ

表面硫化Cu(InGa)Se₂における低減したポテンシャル揺らぎ