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J-GLOBAL ID:201802234318711477   整理番号:18A0426980

ソフト元素(C,N,S)をドープしたTiO_2のバルクおよび表面電子構造の違い【Powered by NICT】

Differences between bulk and surface electronic structure of doped TiO2 with soft-elements (C, N and S)
著者 (8件):
資料名:
巻: 208  ページ: 281-288  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,C,NまたはS.をドープした表面およびバルクTiO_2の電子構造の系統的研究を報告した。結果は,共鳴X線放出分光法(RXES)測定の組み合わせと状態(LDOS)シミュレーションの局所密度からなる半経験的方法により達成された。実験TiO_2RXESデータは,FEFFコードの経験的パラメータを適合させるために使用し,続いてTiO_2ドープ材料のLDOSの理論解析のための凍結した。表面または表面下に位置する,光触媒プロセスの潜在的な結果であるならば,これらの結果から,バルクおよび表面ドーピングの間,ならびに最近接Ti原子電子構造の重要な電子構造の違いを示した。方法論は他のドーパント,形態,構造と表面終端と他の無機半導体を研究するために適合させることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (3件):
分類 (2件):
分類
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塩  ,  分子の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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