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J-GLOBAL ID：201802234407735434   整理番号：18A0935331

グラフェン系歪センサ:グラフェンとその誘導体の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Graphene based strain sensors: A comparative study on graphene and its derivatives

著者 (6件)： Hosseinzadeh A. (Nanophysics research Lab., Department of Physics, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Hosseinzadeh A. (Department of Physics, Sharif University of technology, Tehran, Iran) ,  Bidmeshkipour S. (Nano-Electronics and Thin Film Lab., Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Abdi Y. (Nanophysics research Lab., Department of Physics, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Arzi E. (Nanophysics research Lab., Department of Physics, University of Tehran, Tehran, Iran) ,  Mohajerzadeh S. (Nano-Electronics and Thin Film Lab., Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 448  ページ： 71-77  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,一軸歪下でのグラフェンとその誘導体(Exfoliatedグラフェン,CVD合成グラフェン,グラフェン酸化物および水素化グラフェン酸化物)の電気的性質を実験的に調べた。歪センサの感度の一般的表現としてゲージ因子を用い,水素化グラフェン酸化物が他の試料と比較して有意に高い応答性を示すことを見出した。グラフェンに基づく試料の応答における再現性,信頼性およびヒステリシスの欠如は,それらを歪センサに使用される良い候補にする。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再現性 ,  応答特性 ,  ヒステリシス ,  電気的性質 ,  *グラフェン ,  水素化 ,  信頼性 ,  ゲージ
準シソーラス用語： 酸化グラフェン ,  一軸歪 ,  *歪センサ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  水素化酸化グラフェン ,  歪 ,  ゲージ因子

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  歪センサ ,  誘導体 ,  研究