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J-GLOBAL ID:201802234485987258   整理番号:18A0312931

摂動(応力・磁場)下分光法を用いた超ワイドギャップ半導体の励起子光物性の解明

Excitonic Properties of Super-widegap Semiconductors Studied by Optical Spectroscopy Under External (Stress or Magnetic) Field
著者 (1件):
資料名:
号: 31 12月  ページ: 188-195  発行年: 2017年12月 
JST資料番号: L5491A  ISSN: 0919-3383  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・一軸応力下の合成ダイヤモンドの微分吸収分光研究を実施。一軸応力下で励起子微細構造分裂を観測。このような分裂は初めての観測。
・微分吸収スペクトルとパルス励起光ルミネセンススペクトルの応力依存性は互いに異なることを指摘。これも今まで観測されていない現象。
・応力下で偏光分解微分吸収分光研究を実施。光ルミネセンススペクトルは明瞭な直線偏光依存性を見せたが,微分吸収スペクトルは全く直線偏光依存性は見せないことが判明。
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分類 (3件):
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励起子  ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  ,  無機化合物のルミネセンス 
引用文献 (8件):
  • Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325(2006).
  • S. Koizumi, K. Watanabe, M. Hasegawa, and H. Kanda, Science 292, 1899(2001).
  • P. J. Dean, E. C. Lightowlers, and D. R. Wight, Phys. Rev. 140, A352 (1965).
  • Y. Hazama, N. Naka, and H. Stolz, Phys. Rev. B 90, 045209 (2014).
  • R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, and A. A. Yamaguchi, Phys. Rev. B 81, 155202 (2010).
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