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J-GLOBAL ID:201802234513439545   整理番号:18A1510670

RF応用のための新しいTSVインターポーザ集積インダクタの設計,製作および特性評価【JST・京大機械翻訳】

Design, Fabrication and Characterization of a Novel TSV Interposer Integrated Inductor for RF Applications
著者 (10件):
資料名:
巻: 2018  号: ECTC  ページ: 2492-2497  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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粗シリコンビア(TSV)ベースのシステムとして,パッケージ(SIP)技術はブーミングであり,高品質集積インダクタが無線周波数(RF)応用に望まれている。基板損失により,従来のTSVインターポーザ集積インダクタは低品質因子(Q)問題を克服した。本研究では,基板損失問題に対処するために,TSVインターポーザ集積懸垂スパイラルインダクタを提示した。この概念を証明するために,Si Deep Reactive Ion Etching(DRIE)とReactive Ion Etching(RIE)プロセスの組合せによる放出過程に特徴があるプロセスを設計し,TSVインターポーザ集積懸垂インダクタを実現した。プロセスに基づいて,試験車両として使用される2つのインダクタを設計し,試験した。40mmの放出ギャップを試料に対して達成した。1インダクタは2nHのインダクタンスと20GHzで20の品質因子を持ち,他は5nHのインダクタンスと5GHzで9の品質因子を持ち,類似構造のインダクタ設計と比較して,品質因子の約1倍の改善と動作帯域幅の約2倍の改善を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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