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J-GLOBAL ID：201802234529014205   整理番号：18A0026618

190GHz高利得,250nm InPH BTにおける3dBm OP_1dB低直流電力増幅器【Powered by NICT】

A 190-GHz High-Gain, 3-dBm OP_1dB Low DC-Power Amplifier in 250-nm InP HBT

著者 (3件)： Griffith Zach (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Urteaga Miguel (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Rowell Petra (Teledyne Scientific Company, Thousand Oaks, CA, USA)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 12  ページ： 1128-1130  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 250nm InPH BT技術に設計された周波数190GHzの増幅器を報告した。76mW直流電力P_dcで四段増幅器は25dB S_21利得と24GHzの3dB帯域幅を実証した。190GHz動作では,飽和出力電力P_satは9.4%と9.7mW PAEと16.4dB大信号利得である。1dB利得圧縮パワーOP_1dBは3dBmである。より高いH BTコレクタ電圧を用いた97mW P_dcでバイアス,増幅器は22.4dB S_21利得と26GHzの3dB帯域幅を実証した。190GHz動作では,P_satは9.5%PAEと19.2dB大信号利得をもつ12.7mWに増加した。OP_1dBも3dBm。185と195GHz動作で観察された非常に類似したOP_1dB,P_sat,PAE大信号特性。世界的効率を示し,Gバンドで動作するInPH BT増幅器のための1.59W/mmの電力密度を記録し,それは進行したInPH EMT,SiGeH BTおよびCMOS技術で実証された最先端技術の結果と同等によく競合した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  周波数 ,  信号特性 ,  帯域幅 ,  電圧 ,  *利得 ,  *直流 ,  *増幅器 ,  *電力増幅器
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  電力密度 ,  大信号 ,  出力電力 ,  *高利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高利得 ,  iNPH ,  BT ,  直流 ,  電力増幅器