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J-GLOBAL ID：201802234558469447   整理番号：18A0263682

垂直磁気異方性を持つエピタキシャルテルル化クロム薄膜における磁化反転の角度依存性【Powered by NICT】

Angular dependence of magnetization reversal in epitaxial chromium telluride thin films with perpendicular magnetic anisotropy

著者 (8件)： Pramanik Tanmoy (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Roy Anupam (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Dey Rik (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Rai Amritesh (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Guchhait Samaresh (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Movva Hema C.P. (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Hsieh Cheng-Chih (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA) ,  Banerjee Sanjay K. (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 437  ページ： 72-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーにより成長させたテルル化クロム薄膜における磁気異方性と磁化反転機構を調べた。はこれらの薄膜における強い垂直磁気異方性の存在,比較的強い二次異方性の寄与を報告した。磁気抵抗測定から観測されたスイッチング場の角度変化は一次元欠陥モデルを用いて定量的に説明した。モデルは磁化反転における核形成とピン止めの相対的役割を明らかにし,印加磁場方位に依存した。マイクロマグネティックシミュレーションは分域構造とスイッチング過程を可視化した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気抵抗 ,  MBE成長 ,  *磁気異方性 ,  *角度依存性 ,  ピン止め ,  *垂直磁気異方性 ,  一次元 ,  スイッチング ,  *異方性 ,  分域構造 ,  核形成 ,  *薄膜 ,  可視化 ,  *磁化反転
準シソーラス用語： マイクロマグネティックシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直磁気異方性 ,  クロム ,  薄膜 ,  磁化反転 ,  角度依存性