文献

J-GLOBAL ID：201802234758059074   整理番号：18A0166587

SiC MOSFETの比較と基づくGaNH EMT高効率高電力密度7.2kW電気自動車用電池充電器【Powered by NICT】

Comparison of SiC MOSFETs and GaN HEMTs based high-efficiency high-power-density 7.2kW EV battery chargers

著者 (7件)： Liu Guanliang (Dept of ECE, University of Michigan-Dearborn, 4901 Evergreen Rd, Dearborn, USA 48128) ,  Bai Kevin Hua (Dept of ECE, University of Michigan-Dearborn, 4901 Evergreen Rd, Dearborn, USA 48128) ,  McAmmond Matt (Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170) ,  Brown Allan (Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170) ,  Johnson Philip Mike (Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170) ,  Taylor Allan (Kettering University, 1700 University Ave, Flint, MI 48504) ,  Lu Juncheng (Kettering University, 1700 University Ave, Flint, MI 48504)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WiPDA  ページ： 391-397  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップデバイスの二典型的な候補として,SiC MOSFETとGaNH EMTを培地に高電圧(>1200V)と低電圧(<650V)領域におけるSiデバイスの後継として,それぞれ,それらの優れたスイッチング性能と熱能力のためである。650Vと<650V領域におけるSiCとGaNの直接競合を生じるSiC MOSFETは不可避であり,電気自動車のためのレベル2電池充電器である。二240VAC/7 2kW電気自動車用電池充電器~650V SiCとGaNを適用し,それぞれ,効率,出力密度,熱的およびコストの点でこれらの二素子の直接比較を提供し,広入力範囲(80VAC~260VAC)と広い出力範囲(200V~450VDC)をカバーするために位相シフトとスイッチング周波数を変えることの同じ制御戦略を目的とした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相シフト ,  *炭化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *電池 ,  接続品質 ,  *充電装置 ,  *窒化ガリウム ,  *電気自動車
準シソーラス用語： 制御戦略 ,  スイッチング周波数 ,  出力密度 ,  低電圧 ,  *高電力密度 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  EMT ,  高効率 ,  高電力密度 ,  電気自動車用電池 ,  充電器