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J-GLOBAL ID：201802234801339045   整理番号：18A1819942

CrドープLiZnAs希薄磁性半導体の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

The study of Cr doped LiZnAs diluted semiconductor based on the first-principles

著者 (6件)： Zhang Yunli (周口師范学院物理与電信工程学院,河南周口,466001) ,  Zhu Ziqiang (周口師范学院物理与電信工程学院,河南周口,466001) ,  Li Xiaochuan (周口師范学院物理与電信工程学院,河南周口,466001) ,  Liu Kuili (周口師范学院物理与電信工程学院,河南周口,466001) ,  Wu Hongzhang (周口師范学院稀土功能材料及応用実験室,河南周口,466001) ,  Zhou Xiaodong (周口師范学院机械与電气工程学院,河南周口,466001)
資料名： Zhejiang Daxue Xuebao. Lixue Ban  (Zhejiang Daxue Xuebao. Lixue Ban)
巻： 45  号： 4  ページ： 429-435  発行年： 2018年 
JST資料番号： C3049A  ISSN： 1008-9497  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： CrドープLiZnAs系(Li1.1(Zn1-xCrx)As)(x=0.1)の安定構造,磁気源および電子構造を,第一原理を用いて研究した。まず、異なる構造のCrドープLiZnAs希薄磁性半導体系で安定構造のエネルギーを得て、一定のLi過剰、Crドーピング濃度下で、ドーピングしたCr原子間の初期距離が一定の時、一定の値が得られた。過剰のLi空格子点間の距離は構造安定性に大きな影響を持つ。次に、CrドープLiZnAsの磁性源を分析し、その磁性は主にCr原子の3d軌道に由来することが分かった。最後に,CrドープLiZnAs系の電子構造を調べ,CrドープLiZnAs系の電子構造が希薄磁性半導体特性をもつことを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *リチウム ,  磁気 ,  *第一原理 ,  *クロム ,  エネルギー ,  電子構造 ,  *磁性 ,  *ドーピング ,  安定構造
準シソーラス用語： 構造安定性 ,  *希薄磁性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cr ,  ドープ ,  希薄磁性半導体 ,  第一原理 ,  研究