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J-GLOBAL ID:201802234842574759   整理番号:18A0823738

広バンドギャップ電力素子を用いたDC-DC昇圧コンバータの性能評価【JST・京大機械翻訳】

Performance evaluation of a DC-DC boost converter with wide bandgap power devices
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: SusTech  ページ: 1-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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太陽光発電(PV)エネルギー変換システムは,厳しい環境条件下での低い半導体損失で非常に効率的な高速スイッチングパワーデバイスを必要とする。シリコン(Si)半導体デバイスは,電力変換器の増加する要求を満たすことにおいて,それらの実用的な限界を無視している。しかし,炭化ケイ素(SiC)から作製されたワイドバンドギャップ(WBG)半導体デバイスはこれらの限界を超えている。SiCパワーデバイスは,より効率的でより高性能な電力変換器を可能にする。本論文は,PVシステムで使用するために最適化されたSiCパワーデバイスに基づく非分離dc-dc昇圧コンバータを提示した。二つの他の同一変換器の性能を比較した。一つは新しいSiC MOSFET Schottkyダイオード,もう一つは通常のSi MOSFETと比較した。各半導体素子のスイッチング特性とエネルギー損失の比較を異なるスイッチ電流で行った。コンバータの全損失と全体の効率を異なるスイッチング周波数,入力電圧,出力電力レベルで評価した。結果は,コンバータにおけるSiC MOSFET Schottkyダイオードが,より効率的で,より良く機能し,Si MOSFET/Siダイオードと比較して,電力損失を減少させることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (5件):
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