文献

J-GLOBAL ID：201802234882914860   整理番号：18A0969235

強誘電性BiFeO_3膜の光起電力特性に及ぼす双極子ピン止め効果【JST・京大機械翻訳】

Dipole pinning effect on photovoltaic characteristics of ferroelectric BiFeO₃ films

著者 (4件)： Biswas P. P. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Thirmal Ch. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Pal S. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Murugavel P. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 2  ページ： 024101-024101-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体ビスマスフェライトはスイッチ可能なデバイスの魅力的な候補である。化学溶液堆積法により作製したBiFeO_3薄膜のスイッチング挙動に及ぼす酸素空孔層による双極子ピン止めの影響を,空気,O_2,およびN_2環境下でのアニーリング後に研究した。空気アニールした膜は,他の二つの膜に比べて,より低い漏れ電流と優れた電気的性質をもたらす良く定義された高密度の結晶粒を示した。正と負のポーリング下で測定した光起電力と過渡光電流は膜のスイッチング特性を明らかにした。空気とO_2アニール膜はスイッチ可能な光起電力応答を示したが,応答はN_2アニール膜の酸素空格子点により大きく影響された。さらに,開回路電圧は界面におけるSchottky障壁よりもむしろBiFeO_3の分極に依存することが分かった。本研究は,BiFeO_3薄膜のスイッチ可能光起電力効果に及ぼす酸素空格子点に起因する双極子ピン止めの影響に関する重要な洞察を,意味のある実用的応用を容易にするための化学量論的,欠陥のない,および相の純粋な試料の重要性と共に提供した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  *強誘電性 ,  結晶粒 ,  スイッチ ,  光電流 ,  強誘電体 ,  Schottky障壁 ,  *ピン止め ,  焼なまし ,  *双極子 ,  界面 ,  スイッチング ,  漏れ電流 ,  薄膜
準シソーラス用語： ビスマスフェライト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電性 ,  光起電力 ,  双極子 ,  ピン止め効果