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J-GLOBAL ID：201802234895668639   整理番号：18A0824010

Dicke放射計のための逆飽和SiGe HBTを用いたDバンドSPDTスイッチ【JST・京大機械翻訳】

A D-band SPDT switch utilizing reverse-saturated SiGe HBTs for dicke-radiometers

著者 (6件)： Cetindogan Barbaros (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Ustundag Berktug (University of California, San Diego, 9500 Gilman Drive, La Jolla, CA 92093, USA) ,  Turkmen Esref (Sabanci University, Orta Mahalle, Universite Cd. No:27, 34956 Istanbul, Turkey) ,  Wietstruck Matthias (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Kaynak Mehmet (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Gurbuz Yasar (Sabanci University, Orta Mahalle, Universite Cd. No:27, 34956 Istanbul, Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： GeMiC  ページ： 47-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Dickeradiometerのための逆飽和SiGe HBTを利用した低挿入損失と高アイソレーションDバンド(110~170GHz)単極二重スロット(SPDT)スイッチを示した。SPDTスイッチ設計は,4分の1波シャントスイッチトポロジーに基づいており,全体の挿入損失を改善し,市販の0.13μm SiGe BiCMOS技術における全チップサイズを減少させるために,更なる最適化を実現した。実装したSPDTスイッチの測定結果は,125GHzで2.6dBの最小挿入損失と151GHzで30dBの最大アイソレーションを示し,一方,測定入力と出力リターン損失は110~170GHzで10dB以上であった。SPDTスイッチの全電力消費は5.3mWで,0.95V DC電源から5.6mAを排出した。全体的なチップサイズは,RFとDCパッドを除いて,わずか0.5,0.32=0.16mm2である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パッド ,  挿入損 ,  最適化 ,  電力消費 ,  *スイッチ
準シソーラス用語： チップサイズ ,  SiGe BiCMOS ,  *SPDT ,  *SPDTスイッチ ,  *Dバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 放射計 ,  飽和 ,  SiGe ,  HBT ,  Dバンド ,  SPDTスイッチ