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J-GLOBAL ID:201802235088232519   整理番号:18A1028685

V_OC>950MVの単結晶CdTe太陽電池の界面特性評価【JST・京大機械翻訳】

Interface characterization of single-crystal CdTe solar cells with Voc > 950mV
著者 (15件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CdTe太陽電池効率の向上は,900mV以上の開回路電圧(V_OC)の改善を必要とする。これは,長いキャリア寿命,高い正孔密度,および界面再結合速度が約10~4cm/s未満の高品質界面を必要とする。モデル系としてCdTe単結晶を用いて,950mVを超える開回路電圧を生成する素子におけるCdTe/CdS電気的および構造的界面特性について報告した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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