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J-GLOBAL ID：201802235116211273   整理番号：18A0027402

ゲルマニウムFinFETの仕事関数と温度の研究【Powered by NICT】

Investigation of work function and temperature of germanium FinFETs

著者 (2件)： Das R. (ECE Department NIT Silchar, Assam, India) ,  Baishya S. (ECE Department NIT Silchar, Assam, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート材料の仕事関数と温度のような二つの重要なパラメータの影響,FinFETデバイスの挙動を調べた。ゲルマニウムベースFinFETデバイス上で行った。作業装置は高いオン電流(I_ON),少ない漏れ電流(I_OFF),高い値(I_ON/I_OFF)の電流駆動能力を改善し,短チャネル効果(SCE)を十分に防除した。最も興味深いことに,サブしきい値スイング値のサブ60mV/decは周囲温度で見られた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  短チャネル効果 ,  防除 ,  電流 ,  漏れ電流 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 周囲温度 ,  サブ閾値スイング ,  電流駆動 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  FinFET ,  仕事関数 ,  研究