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J-GLOBAL ID：201802235170432441   整理番号：18A2112157

共ドープしたホスホレン:COガス検知の感度増強【JST・京大機械翻訳】

Co-doped phosphorene: Enhanced sensitivity of CO gas sensing

著者 (3件)： Lei S. Y. (Key Laboratory of Microelectromechanical Systems of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, P. R. China) ,  Luan S. (Key Laboratory of Microelectromechanical Systems of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, P. R. China) ,  Yu H. (Key Laboratory of Microelectromechanical Systems of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, P. R. China)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 32  号： 6  ページ： 1850068  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,未処理及びコバルト(Co)ドープホスホレン(Co-BP)への一酸化炭素(CO)吸着を系統的に調べた。COが吸着されるか否かにかかわらず,純粋なホスホレンは直接バンドギャップ半導体である。しかし,Co-BPのバンドギャップはCO分子吸着後の直接から間接への遷移を経験し,光吸収にかなり影響し,CoドーピングがCOガスセンサとしてのホスホレンの感度を増強できることを意味した。さらに,Coドーピングは,元のホスホレン(0.12eV)と比較して,COの吸着エネルギーを1.31eVに改善することができ,Co-BPがCOガス検知に対してエネルギー的に有利であることを示した。Copyright 2018 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  半導体 ,  一酸化炭素 ,  光吸収 ,  吸着 ,  *増感 ,  バンドギャップ ,  吸着エネルギー ,  ガスセンサ
準シソーラス用語： *ガス検知 ,  分子吸着 ,  直接バンドギャップ ,  *フォスフォレン ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 共ドープしたホスホレン ,  バンドギャップ ,  直接-間接遷移 ,  ガス検知

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ホスホレン ,  COガス ,  感度増