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J-GLOBAL ID：201802235175695499   整理番号：18A0168644

Pドープ基板上のケイ素エピタキシャル層の成長法を示した。【JST・京大機械翻訳】

著者 (2件)： Xue Bing (中国電子科技集団公司第四十六研究所,天津,300220) ,  Chen Tao (中国電子科技集団公司第四十六研究所,天津,300220)
資料名： Keji Chuangxin yu Yingyong  (Keji Chuangxin yu Yingyong)
号： 24  ページ： 13-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： C4005A  ISSN： 2095-2945  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学蒸着CVD法[1]を用いて、EPI-PRO5000型平板式エピタキシャル炉において、二次固有法、転流パージ及び低温エピタキシャル堆積などの工芸方法と手段を総合的に採用することで、5インチ<111>結晶方向にある。電気抵抗率(0.7~1.5)×10~3ΩcmのPドープ基板上に、N/N+型ケイ素エピタキシャル層の成長方法を研究し、産出したシリコンエピタキシャルシートは完全に顧客の使用要求を満たした。現在、この研究成果はすでに大規模生産に応用されている。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 掃気 ,  結晶方位 ,  低温 ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  化学蒸着 ,  *エピタクシー ,  *ケイ素
準シソーラス用語： *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 人間機械系  (IB03000G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ケイ素 ,  エピタキシャル層 ,  成長