文献
J-GLOBAL ID:201802235440359742   整理番号:18A2234210

薄膜応用における傾斜三元合金の堆積のための先進的共昇華ハードウェア【JST・京大機械翻訳】

Advanced co-sublimation hardware for deposition of graded ternary alloys in thin-film applications
著者 (11件):
資料名:
巻: 2018  号: WCPEC  ページ: 0842-0845  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
22%以上の効率を持つCdTe光起電力素子を実証した。CdTe吸収体膜におけるSeの傾斜合金化を用いて,19%以上の効率を有する昇華CdTe光起電力を報告した。より複雑なデバイス構造を用いて,より高いデバイス性能を達成するための重要な特性として,合金膜の等級付けが同定されている。高度に制御されたCdTeベースの三元合金を堆積するために,先進的な共昇華源を設計し開発した。先進的なシャッタ機構は昇華中に堆積した膜の組成を変えることを可能にする。本研究では,先進的な共昇華と初期材料特性化に使用されるハードウェアを提示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
図形・画像処理一般 

前のページに戻る