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J-GLOBAL ID：201802235636911854   整理番号：18A0162378

0.1μm GaAs pHEMTプロセスを用いた5Gフェイズドアレイ応用のための37-40GHz電力増幅器【Powered by NICT】

A 37-40 GHz power amplifier for 5G phased array applications using 0.1-μm GaAs pHEMT process

著者 (5件)： Tsai Jeng-Han (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Cheng Yi-Chien (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Hung Chuan-Chi (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Chiang Kun-Chan (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Li Wei-Teung (Info. and Comm. Research Lab., Industry Techology Research Institute, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICCE-Berlin  ページ： 85-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 37~40GHz電力増幅器(PA)は0.1μm GaAs pHEMTプロセスに設計し,作製した。二方法直接シャント電力結合と低インピーダンス伝送線路マッチング調節法を利用して,PAは,38GHzで28%のピーク電力付加効率(PAE)25.6dBmの飽和出力パワーを達成した。測定出力1dB利得圧縮点は 24.6dBmであり,ピーク利得は13.5dBであった。チップサイズは2.03×1.03mm~2であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  伝送線路 ,  *電力増幅器 ,  *ヒ化ガリウム ,  利得 ,  電力付加効率 ,  マッチング ,  *フェイズドアレイ
準シソーラス用語： チップサイズ ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  PHEMT ,  プロセス ,  5G ,  フェイズドアレイ ,  応用 ,  電力増幅器