文献

J-GLOBAL ID：201802235653401444   整理番号：18A0330991

δドープしたGaAs量子井戸におけるサブバンド間光学吸収と屈折率変化に及ぼす強いレーザ場の効果【Powered by NICT】

Intense laser field effects on the intersubband optical absorption and refractive index change in the δ -doped GaAs quantum wells

著者 (6件)： Sari H. (Faculty of Education, Department of Primary, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Yesilgul U. (Faculty of Technology, Department of Optical Engineering, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Ungan F. (Faculty of Technology, Department of Optical Engineering, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Sakiroglu S. (Faculty of Science, Department of Physics, Dokuz Eyluel University, 35160 Buca, Izmir, Turkey) ,  Kasapoglu E. (Faculty of Science, Department of Physics, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Sokmen I. (Faculty of Science, Department of Physics, Dokuz Eyluel University, 35160 Buca, Izmir, Turkey)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 487  ページ： 11-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaAsをベースにしたδドープ量子井戸における二低位電子状態間の遷移に対する線形,非線形および全光吸収係数と屈折率変化のような電子的および光学的性質に及ぼす非共鳴強レーザ場の効果を調べた。有効質量近似の枠内で,著者らはレーザ修飾閉込めポテンシャルにおけるSchroedinger方程式を解くことにより強いレーザパラメータの関数として固有値と対応する固有関数を計算した。線形および三次非線形光学吸収係数と屈折率の変化の解析表現を,コンパクトな密度行列形式を用いて求めた。得られた結果は,δドープ量子井戸における基底状態と第一励起エネルギー準位間の分離は,レーザ場強度の増加によるエネルギーで減少し,この効果はサブバンド間遷移における光学的赤方偏移をもたらすことを示した。この挙動は光学遷移に基づく種々のデバイス応用の調節可能性の新しい自由度を与える。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schroedinger方程式 ,  *ヒ化ガリウム ,  基底状態 ,  線形性 ,  *レーザ ,  *量子井戸 ,  赤方偏移 ,  *屈折率 ,  光学的性質 ,  非線形光学 ,  吸収係数 ,  *δドーピング
準シソーラス用語： サブバンド間遷移 ,  *レーザ場 ,  *サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： δドープ量子井戸 ,  非線形光学特性 ,  強いレーザ場

分類 (3件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： δドープ ,  GaAs ,  量子井戸 ,  サブバンド ,  光学 ,  屈折率変化 ,  レーザ場