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J-GLOBAL ID:201802235759810089   整理番号:18A0132324

TIIn(Se_1 xS_x)_2層状混晶における低温吸収端と光ルミネセンスによる研究【Powered by NICT】

Low temperature absorption edge and photoluminescence study in TlIn(Se1-xSx)2 layered mixed crystals
著者 (2件):
資料名:
巻: 530  ページ: 82-85  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TlIn(Se_1 xS_x)2混晶(0.25≦x≦1)の透過を調べ結晶のKバンドギャップエネルギーは透過率の微分スペクトルを用いて得られたT=10で400 800nmの波長範囲で行った。T=10Kでの直接バンドギャップエネルギーの組成依存性は,硫黄組成は混合結晶中の増加すると,直接バンドギャップエネルギーは2.26eV(x=0.25)から2.56eVに上昇(x=1)ことを明らかにした。TlIn(Se_1 xS_x)2混晶の光ルミネセンススペクトルは10で400 620nmの波長領域で研究した。観測したバンドは,価電子帯への浅いドナー準位からの電子の遷移に帰属した。上昇硫黄含有量の高いエネルギーへのPLバンドのシフトを明らかにした。混晶の組成比はエネルギー分散分光測定から得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光物性一般  ,  半導体薄膜 
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