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J-GLOBAL ID：201802235761388372   整理番号：18A0754249

2D GeP:強い面内異方性を持つ未開発低対称性半導体【JST・京大機械翻訳】

2D GeP: An Unexploited Low-Symmetry Semiconductor with Strong In-Plane Anisotropy

著者 (10件)： Li Liang (State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Wang Weike (Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Application, Key Laboratory of Low-dimensional Quantum Structures and Quantum Control of Ministry of Education, College of Physics and Information Science, Hunan Normal University, Changsha, 410081, P. R. China) ,  Gong Penglai (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Zhu Xiangde (Anhui Province Key Laboratory of Condensed Matter Physics at Extreme Conditions, High Magnetic Field Laboratory of the Chinese Academy of Science, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Deng Bei (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Shi Xingqiang (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, P. R. China) ,  Gao Guoying (School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Li Huiqiao (State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Zhai Tianyou (State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Zhai Tianyou (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, Tianjin University, and Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin, 300072, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 14  ページ： e1706771  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IV族化合物の新しいメンバーであるゲルマニウムりん化物(GeP)を,強い異方性物理的性質の実験的及び理論的実証により,高速成長2D族に導入した。GePの間接バンドギャップは,バンド構造の高度に異方的な分散をもつ,単分子層の1.68eVからバルクの0.51eVまで劇的に調整できる。薄いGePはフォノン振動の強い異方性を示す。さらに,GePフレークに基づく光検出器は,コンダクタンスと光応答性に対して,それぞれ1.52と1.83の異方性因子を有する高度に異方的な挙動を示した。本研究は,グループIVグループV化合物2D材料における基礎を築き,将来の研究関心を無視する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リン化物 ,  単分子層 ,  バンド構造 ,  *対称性 ,  *異方性 ,  光検出器 ,  コンダクタンス ,  フレーク ,  *二次元 ,  フォノン ,  *半導体 ,  バナジウム化合物
準シソーラス用語： 光応答 ,  間接バンドギャップ ,  *面内異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  GEP ,  面内異方性 ,  低対称性 ,  検出器

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2D ,  面内異方性 ,  開発 ,  対称性