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J-GLOBAL ID：201802235787301497   整理番号：18A1898866

N2絶縁体のフラッシュオーバ特性に関する実験的研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental Research on Flashover Characteristics of Insulator with N2

著者 (5件)： Xue Peng (Department of Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200030, P. R. China) ,  Zhao Su (Department of Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200030, P. R. China) ,  Xiao Dengming (Department of Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200030, P. R. China) ,  Zhu Lili (Department of Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200030, P. R. China) ,  Wu Yizhou (Department of Michigan-Shanghai, Jiao Tong University Joint Institute, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200030, P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EIC  ページ： 60-63  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧N2は,その豊富な資源,低価格,環境への優しさ,および良好な絶縁性能のために,ガス絶縁の分野におけるSF_6に対する潜在的代替案と考えられてきた。本論文では,N2を有する絶縁体のフラッシュオーバ特性を試験した。雷インパルス下の50%フラッシュオーバ電圧を測定した。ガス圧の増加とともに,フラッシオーバ電圧はほぼ直線的に増加することが分かった。そして,極性効果は,圧力上昇によってより強くなった。絶縁体の表面粗さの増加に伴って,最初にフラッシュオーバ電圧は減少し,次に上昇した。実験結果は,粗面の吸着とブロッキング作用がこの現象の主要因であることを示した。そして,正の雷インパルスの下のフラッシオーバ電圧に及ぼす粗さの影響は,負の雷インパルスの下のそれより大きい。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *絶縁体 ,  低圧 ,  ブロッキング ,  *フラッシュオーバ ,  極性 ,  ガス絶縁 ,  粗面
準シソーラス用語： 圧力上昇 ,  ガス圧 ,  雷インパルス ,  低価格 ,  実験研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： N2 ,  絶縁体 ,  フラッシュオーバ ,  実験的研究