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J-GLOBAL ID：201802235894775765   整理番号：18A0653753

タングステンヘテロバナジウム酸化バナジウムベースの非冷却赤外検出器の性能研究【JST・京大機械翻訳】

Study on properties of tungsten doped vanadium oxide uncooled infrared detector

著者 (6件)： Kang Yangdong (广西大学 有色金属及材料加工新技術教育部重点実験室,广西 南寧,530004) ,  Ni Haiqiao (中国科学院半導体研究所 半導体超晶格国家重点実験室,北京,100084) ,  Zhang Lichun (魯東大学 物理与光電工程学院,山東 烟台,264025) ,  Ma He (清華大学 富士康納米科技研究中心,北京,100084) ,  Zhan Feng (广西大学 有色金属及材料加工新技術教育部重点実験室,广西 南寧,530004) ,  Niu Zhichuan (中国科学院半導体研究所 半導体超晶格国家重点実験室,北京,100084)
資料名： Guangxi Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban  (Guangxi Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
巻： 42  号： 5  ページ： 1830-1834  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1050A  ISSN： 1001-7445  CODEN： GDXZEB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム(VOx)は,非冷却赤外検出器に広く使用されており,その中で,サーミスタ材料の性能は,最終的なデバイス性能に影響を及ぼす。特に鍵となることが知られている。酸化バナジウム薄膜の相転移温度,熱ヒステリシス幅,低温における抵抗温度係数に及ぼすタングステン元素不純物の影響を調べるために,マイクロ波加工技術を用いて,タングステン-タングステン複合材料と非タングステン-バナジウム酸化バナジウム薄膜の赤外検出器を作製した。装置の性能指数を,ロックイン増幅器と周波数スペクトル解析器を用いて試験した。結果により、非タングステンドーピングデバイスと比べ、タングステンドープデバイスの相転移温度は約16°C低下し、熱ヒステリシス幅は5°Cほど短縮し、デバイスの応答電圧は0.15mV増加し、単位帯域ノイズ平均平方根電圧は15nV・Hz-1/2低下した。これにより,デバイスの検出率が改善された。放射周波数が80Hzのとき,非タングステンドープ酸化バナジウム検出器の検出率は1.67×108cm Hz1/2/Wであり,一方,タングステンドーピング酸化バナジウム検出器の検出率は1.85×108cm Hz1/2/Wであった。タングステンドープ酸化バナジウム検出器の検出率は非タングステン酸化バナジウム検出器よりも高いことが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  低温 ,  転移温度 ,  熱履歴 ,  周波数 ,  電圧 ,  *赤外検出器 ,  薄膜 ,  *タングステン ,  性能指数 ,  *検出器 ,  マイクロ波 ,  *酸化バナジウム ,  不純物
準シソーラス用語： 検出率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： uncooled infrared detector ,  tungsten doping ,  vanadium oxide ,  thin film ,  photoelectric response

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化バナジウム ,  赤外検出器 ,  研究