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J-GLOBAL ID：201802236047141452   整理番号：18A0967933

シリコンをドープした酸化ハフニウム薄膜の焦電性【JST・京大機械翻訳】

Pyroelectricity of silicon-doped hafnium oxide thin films

著者 (8件)： Jachalke Sven (Institute of Experimental Physics, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09599 Freiberg, Germany) ,  Schenk Tony (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Park Min Hyuk (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (NaMLab gGmbH, Nothnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Stocker Hartmut (Institute of Experimental Physics, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09599 Freiberg, Germany) ,  Mehner Erik (Institute of Experimental Physics, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09599 Freiberg, Germany) ,  Meyer Dirk C. (Institute of Experimental Physics, TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Str. 23, 09599 Freiberg, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 14  ページ： 142901-142901-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ハフニウム薄膜中の強誘電性は種々のドーピング元素とジルコニアを含む固溶体中で誘起されることが知られている。多くの研究がそれらの基本的強誘電特性とメモリ応用に焦点を合わせているが,関連する焦電特性とそれらの応用可能性の徹底的な研究はまれにしか見出されていない。本研究では,薄膜キャパシタの相組成と強磁性ならびに焦電特性に及ぼすSiドーピングの影響を調べた。動的ヒステリシス測定と電界フリーSharp-Garn法を用いて,報告された斜方晶系相分率を残留分極と焦電係数と相関させた。残留分極と焦電係数に対する最大値8.21μCcm-2と-46.2μmK-1m-2が,それぞれ2.0at%のSi含有量に対して見出された。さらに,温度依存測定は0°C~170°Cの温度範囲で焦電係数と残留分極に対してほぼ一定の値を示し,材料はメモリ応用において一般的に議論されている使用を超えてIRセンサとエネルギー変換応用の有望な候補となる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  ヒステリシス ,  酸化ジルコニウム ,  強誘電性 ,  記憶装置 ,  *酸化ハフニウム ,  相組成 ,  薄膜コンデンサ ,  斜方晶系 ,  温度依存性 ,  固溶体 ,  *ドーピング ,  残留分極 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 焦電係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ドープ ,  酸化ハフニウム ,  薄膜