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J-GLOBAL ID:201802236050117231   整理番号:18A1393112

BiVO_4-ポリオキソメタレートレートナノ複合体光アノードによる室温での光電気化学NO_2ガス検知の性能改善【JST・京大機械翻訳】

Performance improvement of photoelectrochemical NO2 gas sensing at room temperature by BiVO4-polyoxometalate nanocomposite photoanode
著者 (5件):
資料名:
巻: 272  ページ: 289-295  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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非毒性,低コスト,高安定性および優れた光電気化学性能の優れた特性のために,BiVO_4は一般的なn型半導体材料になった。本研究では,ポリオキソ金属酸塩(POM)を担持したBiVO_4ナノ複合材料の光アノードを調製し,NO_2検出のための関連する光電気化学ガス検出デバイスを作製した。BiVO_4/POM光アノードの光電流応答強度は光電気化学ガス検知能力に直接比例するので,異なるPOMを含む光アノードの光電流応答を測定し,Na_7PW_11O_39(PW_11)<H_3PMo_1O_40(SiW_9)<H_3PW_1O_40(PW_12)の順に光電流強度増強を見出した。それらの中で,PW_12は最高の光電流応答を示した。さらに,BiVO_4/PW_12ナノ複合材料デバイスは,室温(22°C)でNO_2に対して高いガス検知性能を示し,BiVO_4/PW_12デバイスは,50ppm NO_2に対して32.8%の高い応答を示し,高い応答,優れた再現性および選択性とともに,元のBiVO_4デバイスより3倍高かった。増強された光電流応答とガスセンシング性能は,確かにPOMの取り込みに起因し,それは,半導体中の電荷分離と光生成電子移動を容易にし,BiVO_4中の電子-正孔再結合を効果的に遅らせることができた。本研究はPOMで修飾したBiVO_4に基づく低コスト光電気化学ガスセンサの開発への新しい洞察を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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