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J-GLOBAL ID：201802236235587268   整理番号：18A1900257

半導体デバイスのための静電気放電損傷と欠陥損傷故障解析技術に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Electrostatic Discharge Damage and Defect Damage Failure Analysis Technology for Semiconductor Devices

著者 (5件)： Lin HU (CEPREI, Guangzhou, 510610, China) ,  Sheng-zong HE (CEPREI, Guangzhou, 510610, China) ,  You-liang WANG (CEPREI, Guangzhou, 510610, China) ,  Xiao-si LiANG (CEPREI, Guangzhou, 510610, China) ,  Qi-zheng JI (Beijing Orient Institute of Measurement and Test, Beijing, 10086, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 1246-1249  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスにおける集積とプロセスの複雑さの増加により,静電放電損傷と欠陥損傷が半導体デバイス故障の重要な原因となっている。しかし,静電放電損傷と欠陥損傷は,半導体デバイスの故障解析においていくつかの困難がある。半導体デバイスの典型的な欠陥を導入することにより,半導体デバイスの静電放電損傷と欠陥損傷の特徴と故障解析技術を比較することにより,半導体デバイスの特性と故障解析技術を比較した。最後に,半導体デバイスの応用プロセスにおける特定の故障解析事例を通して,半導体デバイスの静電放電損傷と欠陥損傷を解析する方法を得て,技術方法は電子製品の信頼性の改良と制御のための指針を提供した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *故障解析 ,  *半導体素子 ,  *故障
準シソーラス用語： 複雑性 ,  静電気放電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体デバイス ,  静電気放電 ,  損傷 ,  欠陥 ,  故障解析 ,  研究