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J-GLOBAL ID:201802236438639541   整理番号:18A2076374

Gdドープセリア膜における組込みバイアスと電気機械的作動デバイスに対するその意味【JST・京大機械翻訳】

Built-in bias in Gd-doped ceria films and its implication for electromechanical actuation devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 327  ページ: 47-51  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0096B  ISSN: 0167-2738  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Ti電極を有する20mol%Gdドープセリアの1.5μm厚さ2mm径自己支持膜(膜)の電気機械的応答を,直接(U_DC)および交互(U_AC,20Hz)電圧の関数として,2つの温度(25および75°C)で測定した。膜はスープ-パンボウル形状を仮定し,外部電圧の印加は平坦領域の均一な垂直シフトをもたらした。重畳U_DCの不在下で,U_ACは,両方の温度において,第1および第2高調波において,電気機械的応答を誘発した。2次高調波の振幅はこれらの温度でU_AC2に比例し,それはU_DCに依存せず,電気歪効果によりそれを同定した。電気インピーダンスとIV測定だけでなく,第一高調波応答の最小化による内蔵バイアスの直接測定は,接触の非対称性が第一高調波の出現に寄与する可能性があるが,それを説明することは不十分であることを示した。AFMで測定された膜の力-変位曲線がヒステリシスであるという事実に基づいて,著者らは,第一高調波応答が座屈膜の非線形機械的変形に関連すると仮定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電気化学一般  ,  燃料電池 
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