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J-GLOBAL ID：201802236452256946   整理番号：18A0191818

Al Schottky接触をもつIn_2O_3nanowires/Siヘテロ接合に基づく拡大光検出【Powered by NICT】

Enlarged photodetection based on In₂O₃ nanowires/Si heterojunction with Al Schottky contact

著者 (4件)： Kumari Indra (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Manipur, Manipur, 795001, India) ,  Ngangbam Chitralekha (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Manipur, Manipur, 795001, India) ,  Singh Chabungbam Akendra (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Manipur, Manipur, 795001, India) ,  Singh Divya (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Manipur, Manipur, 795001, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： i-PACT  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上の高度に秩序化した垂直In_2O_3ナノワイヤ(In_2O_3NW)の実験的作製をもたらした。視射角蒸着法(GLAD)は,電子ビーム蒸着チャンバ内のSi基板上にIn_2O_3NWを合成した。透過型電子顕微鏡(TEM)はデバイスの形態を調べるために行った。電子分散分光法(EDS)は,酸素(O_2)~25.09%およびインジウム酸化物(In_2O_3)~74.91%の存在を明らかにした。X線回折(XRD)分析は,多結晶性,制限視野電子回折(SAED)分析によって支持されたを示した。暗電流は,2Vのバイアス電圧で光照射下で~3.715×10~ 7cm~2から~2.797×10~ 5cm~2に変化した。Al/In_2O_3北西Schottkyデバイスは白色光によるON/OFFスイッチング時間応答を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光照射 ,  *光検出 ,  X線回折 ,  多結晶 ,  電子ビーム蒸着 ,  暗電流 ,  透過型電子顕微鏡 ,  酸化インジウム ,  制限視野回折 ,  白色光 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： スイッチング時間 ,  バイアス電圧 ,  斜め蒸着 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  合成鉱物  (CD01040K) ,  植物の生化学  (EH01050J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Schottky接触 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  拡大 ,  光検出