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J-GLOBAL ID：201802236515765606   整理番号：18A1768129

結晶シリコン太陽電池のためのTiO_2ベースの電子選択接触のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of TiO₂-Based Electron-Selective Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells

著者 (3件)： Ullah Hayat (Department of Electrical Engineering, Syed Babar Ali School of Science and Engineering, Lahore University of Management Sciences, Lahore, Pakistan) ,  Imran Hassan (Department of Electrical Engineering, Syed Babar Ali School of Science and Engineering, Lahore University of Management Sciences, Lahore, Pakistan) ,  Butt Nauman Zafar (Department of Electrical Engineering, Syed Babar Ali School of Science and Engineering, Lahore University of Management Sciences, Lahore, Pakistan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4421-4428  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触選択性は太陽電池の効率を最大化するための重要な要件の一つである。ここでは,TiO_2に基づく結晶性シリコン(c-Si)太陽電池の電子選択的接触と,非晶質シリコンまたはSiO_2不動態化層との積層結合を計算した。これらの接触スキームの相対的有効性を,Fermi準位ピン止め(FLP)と界面欠陥の実用的な関心の下で定量化した。c-Si上の標準的なTiO_2/Al接触スタックに対して,比較的高いSchottky障壁(~0.5eV)が,一般的に,直列抵抗を増加させ,TiO_2中の低から中程度のドーピングにおける充填因子(FF)を劣化させることができるFLPのために存在する。超薄SiO_2層の挿入によって,SiO_2/TiO_2/Alスタックは,そのより良いピン止め因子を通して,直列抵抗に及ぼす寄生Schottky効果を緩和することができ,FFの約5%の絶対的増加をもたらした。さらに,SiO_2層を通して電界効果不動態化を導入することによって,少数キャリアの表面濃度を抑制することができ,関連する表面再結合損失は,界面欠陥密度が~1×10~12cm-2eV-1まで最小化できる。対照的に,TiO_2/Alスタックに対するセル性能は,約1×10~10cm-2eV-1以上の界面欠陥密度に対する表面再結合損失により劣化した。これらの定量的洞察は,公表された実験データの貴重な理解を提供し,TiO_2ベースの接触スタックの設計のための有用なガイドラインを提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  *太陽電池 ,  電場効果 ,  不動態化 ,  Fermi準位 ,  ドーピング ,  *モデリング ,  少数キャリア ,  ピン止め ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 表面再結合 ,  直列抵抗 ,  二層 ,  一酸化ケイ素 ,  界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶シリコン太陽電池 ,  電子 ,  モデリング